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SIB410DK-T1-GE3中文资料

  • 大小：195KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 9A 8SO
  • 制造商：Vishay
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：30 V
  • 漏极连续电流：9 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.034 Ohms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：PowerPAK SC-75-6L
  • 封装：Reel
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：30 S
  • 栅极电荷 Qg：10 nC
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：13 W
  • 零件号别名：SIB410DK-GE3

SIB410DK-T1-GE3供应商

更新时间:2023-01-11 08:44:00
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